本發明涉及半導體技術領域，更為具體地，涉及一種晶圓冷鐓加工方法。
背景技術：
近年來，隨著半導體器件不斷響應“更快、更便宜、更小”的需求，為滿足制造需求，減薄晶圓已是大勢所趨，但超薄器件晶圓具有柔性和易碎性，容易翹曲和起伏，因此需要一種支撐系統來使冷鐓加工順利進行。在此背景下，臨時鍵合/解鍵合技術應運而生。將待冷鐓加工的晶元與承載晶元進行鍵合，鍵合后對待冷鐓加工晶元進行冷鐓加工處理，由于有承載晶元的補強，待冷鐓加工晶元不容易產生翹曲和起伏。待冷鐓加工晶元冷鐓加工完成后，將待冷鐓加工晶元與承載晶元進行剝離。傳統往往采用激光或者溶劑剝離，消耗的能量或者成本較大，例如激光剝離的成本在數千美元/小時。
為解決上述問題，本發明提供了一種新的晶圓冷鐓加工方法。
技術實現要素：
鑒于上述問題，本發明的目的是提供一種晶圓冷鐓加工方法，以解決傳統的晶圓冷鐓加工方法能量消耗大和成本大等問題。
本發明提供一種晶圓冷鐓加工方法，包括：
在承載晶圓的表面涂覆磁性粒子；
將待冷鐓加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上，其中，鍵合后的待冷鐓加工晶圓與承載晶圓之間形成有金屬固化層，并且所述磁性粒子位于所述承載晶圓與所述待冷鐓加工晶圓之間；
對所述待冷鐓加工晶圓進行冷鐓加工，冷鐓加工后的晶圓為成品晶圓；
在所述承載晶圓的下方放置磁鐵，所述磁鐵移動并帶動所述磁吸粒子產生位移，使得所述磁吸粒子切割所述金屬固化層，所述承載晶圓與所述成品晶圓之間出現縫隙；
將激光照射在所述成品晶圓上，使得所述成品晶圓從所述承載晶圓上剝離。
此外，優選的方案是，在將待冷鐓加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上之前，將涂覆磁吸粒子的溶劑揮發。
此外，優選的方案是，通過小于300nm波長的激光將待冷鐓加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上。
此外，優選的方案是，所述成品晶圓的厚度為50-100nm。
此外，優選的方案是，在將激光照射在所述成品晶圓上，使得所述成品晶圓從所述承載晶圓上剝離的過程中，激光的波長為400-600nm。
此外，優選的方案是，對所述待冷鐓加工晶圓進行冷鐓加工的過程包括：減薄、蝕刻、圖案化或者金屬化中的一種或幾種。
此外，優選的方案是，所述成品晶圓從所述承載晶圓上剝離之后，對所述成品晶圓和所述承載晶圓進行清洗，獲得所需的成品晶圓。
從上面的技術方案可知，本發明提供的晶圓冷鐓加工方法，通過在承載晶圓的下方設置磁鐵，吸引承載晶圓上面的磁性粒子，讓承載晶圓上面的磁性粒子產生輕微移動，這樣就會使兩個晶圓之間產生微縫，再采用激光工藝在晶圓上以最小力控制載體從承載晶圓上剝離，再執行成品晶圓和承載晶圓的清洗，采用本發明的晶圓冷鐓加工工藝，可以大大減少激光分離的時間，節省生產成本的同時提高生產效率。
為了實現上述以及相關目的，本發明的一個或多個方面包括后面將詳細說明的特征。下面的說明以及附圖詳細說明了本發明的某些示例性方面。然而，這些方面指示的僅僅是可使用本發明的原理的各種方式中的一些方式。此外，本發明旨在包括所有這些方面以及它們的等同物。
具體實施方式
在下面的描述中，出于說明的目的，為了提供對一個或多個實施例的全面理解，闡述了許多具體細節。然而，很明顯，也可以在沒有這些具體細節的情況下實現這些實施例。
針對前述提出的傳統的晶圓冷鐓加工方法能量消耗大和成本大等問題，本發明提供了一種晶圓冷鐓加工方法。
以下將結合附圖對本發明的具體實施例進行詳細描述。
為了說明本發明提供的晶圓冷鐓加工方法，圖1示出了根據本發明實施例的晶圓冷鐓加工方法流程。
如圖1所示，本發明提供的晶圓冷鐓加工方法包括：
S110：在承載晶圓的表面涂覆磁性粒子；
S120：將待冷鐓加工晶圓鍵合在涂覆有磁性粒子的承載晶圓上，其中，鍵合后的待冷鐓加工晶圓與承載晶圓之間形成有金屬固化層，并且磁性粒子位于承載晶圓與所述待冷鐓加工晶圓之間；
S130：對待冷鐓加工晶圓進行冷鐓加工，冷鐓加工后的晶圓為成品晶圓；
S140：在承載晶圓的下方放置磁鐵，磁鐵移動并帶動磁吸粒子產生位移，使得磁吸粒子切割金屬固化層，承載晶圓與成品晶圓之間出現縫隙；
S150：將激光照射在成品晶圓上，使得成品晶圓從承載晶圓上剝離。
上述為本發明詳細的晶圓冷鐓加工方法，結合圖2至圖7所示的實施例，詳細地描述了晶圓的冷鐓加工方法，其中，圖2示出了根據本發明實施例的承載晶圓結構；圖3示出了根據本發明實施例的晶圓準備鍵合結構；圖4示出了根據本發明實施例的晶圓鍵合結構；圖5示出了根據本發明實施例的晶圓與磁鐵結構；圖6示出了根據本發明實施例的激光照射晶圓結構；圖7示出了根據本發明實施例的晶圓剝離結構。
圖1結合圖2至圖7所示，在A晶圓作為承載晶圓1，在承載晶圓1的表面上涂覆有磁性粒子2，磁性粒子2可以不用涂滿，針對性的畫一些線條/圖案均可，并且在將待冷鐓加工晶圓3鍵合在涂覆有磁性粒子2的承載晶圓1上之前，將涂覆磁吸粒子2的溶劑揮發。
將待冷鐓加工晶圓3對準涂覆有磁性粒子2的承載晶圓1，通過小于300nm波長的激光將待冷鐓加工晶圓3鍵合在涂覆有磁性粒子2的承載晶圓1上。其中，待冷鐓加工晶圓3、成品晶圓3’的厚度為50-100nm。
將鍵合在一起的B晶圓(待冷鐓加工晶圓3)和承載晶圓1后，對B晶圓的背面冷鐓加工，得到“B”晶圓(成品晶圓3’)；一般來說，對待冷鐓加工晶圓3’進行冷鐓加工的過程包括：減薄、蝕刻、圖案化或者金屬化中的一種或幾種。
A晶圓(承載晶圓1)下方，放置磁鐵5前后左右移動，會帶動承載晶圓1上面的磁性粒子2產生位移，進而A(承載晶圓1)、“B”(成品晶圓3’)之間的微隙會擴大。
也就是說，鍵合后的待冷鐓加工晶圓3’與承載晶圓1之間形成有金屬固化層4，并且磁性粒子1位于承載晶圓與待冷鐓加工晶圓之間。磁性粒子1在金屬固化層4之間產生位移，使得待冷鐓加工晶圓3’與承載晶圓1之間的鍵合力消失。
在將激光6照射成品晶圓3’上，使得成品晶圓3’從承載晶圓1上剝離的過程中，激光6的波長為400-600nm，使得成品晶圓以最小力控制載體從承載晶圓1上剝離。
成品晶圓3’從承載晶圓1上剝離之后，對成品晶圓3’和承載晶圓1進行清洗，獲得所需的成品晶圓3’。
通過上述實施方式可以看出，本發明提供的晶圓冷鐓加工方法，通過在承載晶圓的下方設置磁鐵，吸引承載晶圓上面的磁性粒子，讓承載晶圓上面的磁性粒子產生輕微移動，這樣就會使兩個晶圓之間產生微縫，再采用激光工藝在晶圓上以最小力控制載體從承載晶圓上剝離，再執行成品晶圓和承載晶圓的清洗，采用本發明的晶圓冷鐓加工工藝，可以大大減少激光分離的時間，從而降低生產成本，提高生產效率。
如上參照附圖以示例的方式描述了根據本發明提出的晶圓冷鐓加工方法。但是，本領域技術人員應當理解，對于上述本發明所提出的晶圓冷鐓加工方法，還可以在不脫離本發明內容的基礎上做出各種改進。因此，本發明的保護范圍應當由所附的權利要求書的內容確定。
